[发明专利]一种双材料氧化层结构的黑磷场效应管在审
| 申请号： | 201810258143.0 | 申请日： | 2018-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN108428735A | 公开（公告）日： | 2018-08-21 |
| 发明（设计）人： | 沈志豪;赵剑飞;江斌;王伟 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | H01L29/12 | 分类号： | H01L29/12;H01L29/49;H01L29/78 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 吕朦 |
| 地址： | 210003 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双材料氧化层结构的黑磷场效应管，包括导电沟道、源区、漏区、栅极氧化层、源极、漏极、栅极；栅极氧化层位于导电沟道、源区、漏区外，栅极氧化层包括高介电常数栅极氧化层和低介电常数栅极氧化层；高介电常数栅极氧化层位于源区及导电沟道靠近源区的部分外；低介电常数栅极氧化层位于漏区及导电沟道靠近漏区的部分外。本发明与具有低介电常数的传统黑磷场效应管相比，具有更高的I on/I off比、跨导、移动电荷和平均速度；与具有高介电常数的传统黑磷场效应管相比，具有更低的量子电容，更小的固有延迟时间和更短的功率延迟。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极氧化层 场效应管 导电沟道 黑磷 漏区 低介电常数 源区 高介电常数栅极 氧化层结构 双材料 氧化层 高介电常数 功率延迟 固有延迟 移动电荷 靠近源 电容 漏极 源极 量子 | ||
【主权项】：
1.一种双材料氧化层结构的黑磷场效应管，其特征在于，包括导电沟道（1）、源区（2）、漏区（3）、栅极氧化层（4）、源极（5）、漏极（6）、栅极（7）；所述导电沟道（1）、源区（2）、漏区（3）均采用本征半导体黑磷；源区（2）和漏区（3）分别位于导电沟道（1）两端，且源区（2）和漏区（3）为重掺杂区域，导电沟道（1）不掺杂；栅极氧化层（4）位于导电沟道（1）、源区（2）、漏区（3）外，栅极氧化层（4）包括高介电常数栅极氧化层（41）和低介电常数栅极氧化层（42）；高介电常数栅极氧化层（41）位于源区（2）及导电沟道（1）靠近源区（2）的部分外；低介电常数栅极氧化层（42）位于漏区（3）及导电沟道（1）靠近漏区（3）的部分外；栅极（7）为位于栅极氧化层外（4）的金属电极；位于源区（2）和漏区（3）外的栅极氧化层（4）上分别刻蚀有源极引线孔和漏极引线孔，源极（5）为位于源极引线孔处的金属电极，漏极（6）为位于漏极引线孔处的金属电极。
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