[发明专利]一种三材料异质栅结构的黑磷场效应管在审
| 申请号： | 201810258145.X | 申请日： | 2018-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN108447912A | 公开（公告）日： | 2018-08-24 |
| 发明（设计）人： | 沈志豪;赵剑飞;江斌;王伟 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/49 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 吕朦 |
| 地址： | 210003 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种三材料异质栅结构的黑磷场效应管，包括导电沟道、源区、漏区、栅极氧化层、源极、漏极、栅极；所述的导电沟道、源区和漏区均采用黑磷材料制作，在所述的导电沟道、源区和漏区外有栅极氧化层，在栅极氧化层外再沉淀一层金属电极，作为栅极，所述的栅极采用三种不同功函数的导电金属制作，形成三材料异质栅结构的黑磷场效应管的异质栅，基于非平衡格林函数的方法，本发明给出了异质栅功函数的分配规则。当三种材料的功函数从源极向漏极逐步减小，或是中间功函数最大，靠漏极一侧功函数最小时，该种结构能有效的改善性能，具有更低的泄漏电流，更高的电流开关比，更能抑制漏致势垒降低效应。 | ||
| 搜索关键词： | 异质 功函数 黑磷 栅极氧化层 场效应管 导电沟道 栅结构 漏极 漏区 源区 源极 漏致势垒降低效应 电流开关比 导电金属 分配规则 改善性能 金属电极 泄漏电流 栅功函数 逐步减小 非平衡 再沉淀 格林 制作 | ||
【主权项】：
1.一种三材料异质栅结构的黑磷场效应管，其特征在于，包括：导电沟道（1）、源区（2）、漏区（3）、栅极氧化层（4）、源极（5）、漏极（6）、栅极（7）；所述的导电沟道（1）、源区（2）和漏区（3）采用一本征半导体黑磷，导电沟道（1）位于源区（2）和漏区（3）之间，对本征半导体黑磷的两端采用分子或金属离子进行重掺杂后，分别作为源区（2）、漏区（3）；在所述的导电沟道（1）、源区（2）和漏区（3）外，生成一层栅极氧化层（4），在栅极氧化层（4）外再沉淀一层金属电极，作为栅极（7），所述的栅极（7）采用三种不同功函数的导电金属制作，形成三材料异质栅结构的黑磷场效应管的异质栅；在位于源区（2）和漏区（3）之上的栅极氧化层（4）上分别刻蚀一源极引线孔和漏极引线孔，在该源极引线孔内制备源极（5），在漏极引线孔内制备漏极（6）。
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