[发明专利]KDP晶体的清洗方法有效
| 申请号： | 201810258804.X | 申请日： | 2018-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN108499966B | 公开（公告）日： | 2020-09-08 |
| 发明（设计）人： | 邓雪然;杨伟;雷向阳;张清华;惠浩浩;马红菊;张剑锋;王梓龙;张帅;苏文虎;张利平;王健;许乔 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 |
| 主分类号： | B08B3/08 | 分类号： | B08B3/08;B08B3/12;B08B3/10;B08B11/00;B08B13/00 |
| 代理公司： | 成都正华专利代理事务所(普通合伙) 51229 | 代理人： | 何凡 |
| 地址： | 621900*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种KDP晶体的清洗方法，包括以下步骤：惰性气体保护下，将KDP晶体浸入清洗液中静置1.5‑2.5h，然后依次采用频率为35‑45kHz、90‑110kHz和170‑190kHz的超声波对其进行清洗，清洗时间分别为0.5‑1.5h、0.5‑1.5h和0.5‑1.5h，清洗过程中超声功率为4‑6kW。采用本发明的清洗方法清洗KDP晶体表面，可有效去除KDP晶体表面的污染物，经过本发明清洗方法清洗后的KDP晶体表面光滑洁净，不会产生断裂性划痕。 | ||
| 搜索关键词： | kdp 晶体 清洗 方法 | ||
【主权项】：
1.KDP晶体的清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：惰性气体保护下，将KDP晶体浸入含水量低于300ppm的清洗液中静置1.5‑2.5h，然后依次采用频率为35‑45kHz、90‑110kHz和170‑190kHz的超声波对其进行清洗，清洗时间分别为0.5‑1.5h、0.5‑1.5h和0.5‑1.5h，清洗过程中超声功率为4‑6kW。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国工程物理研究院激光聚变研究中心，未经中国工程物理研究院激光聚变研究中心许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810258804.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种新型表面活性剂设备
- 下一篇：光纤涂覆模具清洁装置及清洁方法
