[发明专利]一种消除TLC闪存多片编程失败的方法在审

专利信息
申请号: 201810259694.9 申请日: 2018-03-27
公开(公告)号: CN108549588A 公开(公告)日: 2018-09-18
发明(设计)人: 许毅;吴娴 申请(专利权)人: 深圳忆联信息系统有限公司
主分类号: G06F11/10 分类号: G06F11/10;G06F12/02
代理公司: 广东广和律师事务所 44298 代理人: 董红海
地址: 518057 广东省深圳市南山区*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种消除TLC闪存多片编程失败的方法,其特征在于将TLC闪存中预先分配若干块作为缓存块,将该缓存块强制转换为SLC模式,主机写入的数据先写入缓存块中,硬盘控制器后台在系统空闲时启动多片并行写入模式,将缓存块中的数据并行写入,当其中一个片发生写入错误时,在写入完成后需增加校验与发生错误时并行写入的其它块数据的正确性,如果发生错误需重新从缓存块中获取正确数据,并重新写入。通过开辟一部分SLC block作为闪存cache,将主机数据先写入SLC block,然后SSD空闲时,固件将SLC cache中数据启用多片编程写入TLC block,如果发生多片编程失败,可将SLC cache中源数据重新写入新物理地址,该技术可保证闪存上写入数据的正确性,且不影响主机性能。
搜索关键词: 写入 缓存块 多片 闪存 编程 并行 失败 硬盘控制器 强制转换 物理地址 系统空闲 写入模式 写入数据 影响主机 预先分配 正确数据 主机数据 校验 块数据 源数据 空闲 主机 后台 保证
【主权项】:
1.一种消除TLC闪存多片编程失败的方法,其特征在于将TLC闪存中预先分配若干块作为缓存块,将该缓存块强制转换为SLC模式,主机写入的数据先写入缓存块中,硬盘控制器后台在系统空闲时启动多片并行写入模式,将缓存块中的数据并行写入,当其中一个片发生写入错误时,在写入完成后需增加校验与发生错误时并行写入的其它块数据的正确性,如果发生错误需重新从缓存块中获取正确数据,并重新写入。
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