[发明专利]一种场效应晶体管及其制备方法和晶体管阵列器件

摘要

本发明实施例提供了一种场效应晶体管，包括绝缘衬底，设于绝缘衬底上的沟道材料层，间隔设于沟道材料层上的两个p型接触层，设置于两个p型接触层之间的沟道材料层上的栅介质层和栅极，分别设置于两个p型接触层上的源极和漏极，沟道材料层的材质为二维过渡金属硫族化合物，p型接触层的材质为MOX，M为过渡金属，0＜x＜3，且M与沟道材料层中的过渡金属种类相同。本发明通过在源漏极与沟道材料之间设置p型接触层，形成了良好的p型接触，提高了场效应晶体管质量。本发明还将栅介质层的材料设置为沟道材料层中相应过渡金属的氧化物MO3，实现了超薄、高介电常数栅介质层的制备，进一步提高了场效应晶体管质量。

主权项

1.一种场效应晶体管，其特征在于，包括：绝缘衬底；沟道材料层，设置于所述绝缘衬底上，所述沟道材料层的材质为二维过渡金属硫族化合物；两个p型接触层，间隔设置于所述沟道材料层上，所述p型接触层的材质为过渡金属氧化物，所述过渡金属氧化物的通式为MO_X，其中M为过渡金属，0＜x＜3，且所述p型接触层中的过渡金属种类与所述沟道材料层中的过渡金属种类相同；栅介质层，设置于所述两个p型接触层之间的沟道材料层上；源极和漏极，分别设置于所述两个p型接触层上；栅极，设置于所述栅介质层上。