[发明专利]沟槽分离栅器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201810259783.3 | 申请日： | 2018-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN110310992B | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 方冬;卞铮 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种沟槽分离栅器件的制造方法，所述方法包括：刻蚀半导体衬底形成沟槽；于沟槽内淀积氧化物形成浮栅氧化层，使所述浮栅氧化层沿沟槽侧壁从上至下逐渐增厚，所述沟槽侧壁下部的浮栅氧化层厚度与所述沟槽底部的浮栅氧化层厚度相同；向所述沟槽内淀积多晶硅形成浮栅多晶层；在所述浮栅多晶层上表面生长绝缘介质形成隔离层；在所述沟槽内的所述隔离层上形成控制栅。本申请采用淀积技术在沟槽底部淀积浮栅氧化层，使得浮栅氧化层厚度从沟槽侧壁至沟槽底部逐渐变厚并且沟槽侧壁下部的浮栅氧化层厚度与沟槽底部浮栅氧化层厚度相同。逐渐变化的浮栅氧化层厚度可以缩小沟槽宽度，从而进一步减小元胞面积，降低器件的比导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 分离 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种沟槽分离栅器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：刻蚀半导体衬底形成沟槽；于所述沟槽内淀积氧化物形成浮栅氧化层，使所述浮栅氧化层沿沟槽侧壁从上至下逐渐增厚，所述沟槽侧壁下部的浮栅氧化层厚度与所述沟槽底部的浮栅氧化层厚度相同；向所述沟槽内淀积多晶硅形成浮栅多晶层；在所述浮栅多晶层上表面生长绝缘介质形成隔离层；在所述沟槽内的所述隔离层上形成控制栅。
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