[发明专利]一种利用脉冲激光沉积制备独立分散铁酸钴纳米柱的方法有效
| 申请号： | 201810263320.4 | 申请日： | 2018-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN108546919B | 公开（公告）日： | 2020-03-24 |
| 发明（设计）人： | 钟高阔;安峰;李奥林;谢淑红;钟向丽;王金斌 | 申请（专利权）人： | 湘潭大学 |
| 主分类号： | C23C14/28 | 分类号： | C23C14/28;C23C14/08;C23C14/54;H01F41/20 |
| 代理公司： | 北京慕达星云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11465 | 代理人： | 崔自京 |
| 地址： | 411100 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种利用脉冲激光沉积制备独立分散铁酸钴纳米柱的方法，其中包括：选择基片，并对其进行预处理；在上述经过预处理的基片上，采用脉冲激光沉积系统，利用快速切换双靶材的方法，制备得到独立分散的铁酸钴纳米柱；对上述步骤制备得到的铁酸钴纳米柱样品进行后处理。本发明公开的制备方法具有制备流程简单、产出高效等优点，且整体制备过程能够实现精确控制，制备得到的产品质量稳定，有利于实现大批量、工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 脉冲 激光 沉积 制备 独立 分散 铁酸钴 纳米 方法 | ||
【主权项】：
1.一种利用脉冲激光沉积制备独立分散铁酸钴纳米柱的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)选择基片，并对其进行清洁预处理；(2)在上述经过预处理的基片上，采用脉冲激光沉积系统，利用快速切换双靶材的方法，制备得到独立分散的铁酸钴纳米柱；(3)对上述步骤(2)制备得到的铁酸钴纳米柱样品进行冷却后处理。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湘潭大学，未经湘潭大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810263320.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
