[发明专利]具有电阻分压电路的半导体装置在审

专利信息
申请号: 201810263325.7 申请日: 2018-03-28
公开(公告)号: CN108695318A 公开(公告)日: 2018-10-23
发明(设计)人: 南志昌 申请(专利权)人: 艾普凌科有限公司
主分类号: H01L27/08 分类号: H01L27/08;H01L49/02
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 邓毅;刘畅
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供具有电阻分压电路的半导体装置,N型多晶硅和P型多晶硅相对于应力显示出相反方向的偏移量,因此若电阻分压电路的所有电阻是将N型多晶硅和P型多晶硅交替配置并并联或串联连接而构成的,则利用各个电阻本身将安装时从树脂受到的应力消除,因此能够制成比以往降低安装时的分压比变动的电阻分压电路。
搜索关键词: 电阻分压电路 半导体装置 电阻 交替配置 应力显示 应力消除 反方向 分压比 偏移量 并联 树脂
【主权项】:
1.一种具有电阻分压电路的半导体装置,其特征在于,该具有电阻分压电路的半导体装置具有:多个电阻要素,它们串联连接,并且分别具有利用二进制法赋予权重得到的电阻值;以及多个短接控制元件,它们分别与所述多个电阻要素对应地设置,分别对所述多个电阻要素的短接进行控制,所述多个电阻要素分别是将N型多晶硅和P型多晶硅交替配置并串联或并联连接而构成的。
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