[发明专利]具有电阻分压电路的半导体装置在审
申请号: | 201810263325.7 | 申请日: | 2018-03-28 |
公开(公告)号: | CN108695318A | 公开(公告)日: | 2018-10-23 |
发明(设计)人: | 南志昌 | 申请(专利权)人: | 艾普凌科有限公司 |
主分类号: | H01L27/08 | 分类号: | H01L27/08;H01L49/02 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 邓毅;刘畅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供具有电阻分压电路的半导体装置,N型多晶硅和P型多晶硅相对于应力显示出相反方向的偏移量,因此若电阻分压电路的所有电阻是将N型多晶硅和P型多晶硅交替配置并并联或串联连接而构成的,则利用各个电阻本身将安装时从树脂受到的应力消除,因此能够制成比以往降低安装时的分压比变动的电阻分压电路。 | ||
搜索关键词: | 电阻分压电路 半导体装置 电阻 交替配置 应力显示 应力消除 反方向 分压比 偏移量 并联 树脂 | ||
【主权项】:
1.一种具有电阻分压电路的半导体装置,其特征在于,该具有电阻分压电路的半导体装置具有:多个电阻要素,它们串联连接,并且分别具有利用二进制法赋予权重得到的电阻值;以及多个短接控制元件,它们分别与所述多个电阻要素对应地设置,分别对所述多个电阻要素的短接进行控制,所述多个电阻要素分别是将N型多晶硅和P型多晶硅交替配置并串联或并联连接而构成的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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