[发明专利]新型表压传感器及其制作方法在审
申请号: | 201810263734.7 | 申请日: | 2018-03-28 |
公开(公告)号: | CN108545691A | 公开(公告)日: | 2018-09-18 |
发明(设计)人: | 沈绍群;罗小勇;阮炳权 | 申请(专利权)人: | 广东和宇传感器有限公司;上海旦宇传感器科技有限公司 |
主分类号: | B81B3/00 | 分类号: | B81B3/00;B81C1/00;G01L9/06 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 梁嘉琦 |
地址: | 529100 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种新型表压传感器及其制作方法,通过在硅基片之上层叠设置膜岛结构,而膜岛结构包括弹性硅膜和设置于弹性硅膜之上的岛区,因此岛区会处于硅片主体的表面,从而免去了传统的设置于硅基片背面的大背岛结构,使得岛区不再受到硅基片的厚度限制,从而能够提高产出率和降低成本;此外,由于新型表压传感器并不具有传统的大背岛结构,不仅能克服大背岛的自重效应而提高稳定性,并且还能避免出现大背岛与玻璃键合而导致器件失效的问题。 | ||
搜索关键词: | 背岛 表压传感器 硅基片 岛区 传统的 弹性硅 岛结构 玻璃键合 层叠设置 厚度限制 器件失效 产出率 硅片 制作 | ||
【主权项】:
1.新型表压传感器,其特征在于:包括硅片主体,所述硅片主体包括设置于硅片主体表面的膜岛结构和与所述膜岛结构层叠设置的硅基片(1),所述膜岛结构包括用于感应压力的弹性硅膜(2)和设置于所述弹性硅膜(2)之上用于稳定测量的岛区(3),所述膜岛结构和硅基片(1)之间于与所述弹性硅膜(2)对应的位置设置有用于使所述弹性硅膜(2)能够移动的背膜空间。
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