[发明专利]用于电过应力和静电放电保护的方法和器件有效
| 申请号： | 201810263749.3 | 申请日： | 2018-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN108666303B | 公开（公告）日： | 2023-06-20 |
| 发明（设计）人： | D.J.罗斯;W.A.拉塞尔;J.克拉克 | 申请（专利权）人： | 商升特公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H01L21/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张健;闫小龙 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及用于电过应力和静电放电保护的方法和器件。由沿信号源与负载之间的传输线串联电耦合的串联保护电路保护半导体器件免于电过应力（EOS）和静电放电（ESD）事件。串联保护电路包括串联电耦合在信号源与负载之间的第一场效应晶体管（FET）。并联保护电路电耦合在传输线与接地节点之间。并联保护电路可以包括瞬态电压抑制（TVS）二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 应力 静电 放电 保护 方法 器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：信号源；负载；传输线，耦合在所述信号源与负载之间；串联保护电路，沿所述信号源与所述负载之间的传输线串联电耦合，其中所述串联保护电路包括串联电耦合在所述信号源与负载之间的第一场效应晶体管（FET）；以及并联保护电路，电耦合在所述传输线与接地节点之间。
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