[发明专利]一种破除芍药芽休眠的方法

摘要

本发明涉及一种破除芍药芽休眠的方法，属于植物栽培技术领域。所述方法包括：1）芍药上盆养根结束后，向芍药盆中浇灌GA3；2）GA3浇灌结束后，将盆栽芍药置于背风向阳处，待最低气温降低至2‑4℃时，对盆栽芍药进行保暖；3）待日最低气温低于‑2℃时，将盆栽芍药移入不加温温室，12月中旬开始加温，长出茎叶后室温度提高至10‑20℃；育蕾期及以后温度控制在15‑25℃，每天温室加温同时补光；本发明利用赤霉素以及自然低温的方法不需要再进行专门的入库冷藏、出库、入温室等一系列操作流程，大大简化了破除芍药芽体休眠的工序，降低了成本；同时，本发明的方法较传统的冷库冷藏方法，能够将芍药的花期再提前15‑20天。

主权项

1.一种破除芍药芽休眠的方法，其特征在于：所述制备方法包括以下步骤：1)芍药上盆养根结束后，从10月底开始，每隔3天向芍药盆中浇灌一次GA3，共浇灌3次；2)GA3浇灌结束后，将盆栽芍药置于背风向阳处，待芍药芽体开始露出地面，视情况每隔一段时间浇一次水；待最低气温降低至2‑4℃时，于下午5点前对盆栽芍药进行围护保暖，第二天早上7:30点以后撤去保暖措施；3)待日最低气温低于‑2℃时，将盆栽芍药移入不加温温室，12月中旬开始对温室加温，保持温室温度在5‑15℃之间；长出茎叶后将温室温度提高至10‑20℃；育蕾期及以后温度控制在15‑25℃；每天温室加温同时补光；盆栽芍药处在温室期间，每7‑10天浇水施肥一次，育蕾期后每隔3天喷一次叶面肥，浇水当天夜间熏库，70％灰霉利与20％异丙威轮换使用；自入温室开始每隔1天转一次盆；步骤1)和2)中，所有操作都在室外进行。