[发明专利]场效应晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201810264930.6 | 申请日： | 2018-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN110323277B | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | 徐慧龙;肖祥;李伟 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/16;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京龙双利达知识产权代理有限公司 11329 | 代理人： | 孙涛;毛威 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种场效应晶体管，包括：衬底层；石墨烯沟道层，所述石墨烯沟道层设置于衬底层的上表面；源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极设置于所述石墨烯沟道层的上表面，且所述源电极与所述漏电极之间具有间隔；栅介质层，所述栅介质层设置于所述石墨烯沟道层的上表面，且位于所述源电极和所述漏电极之间；半导体插层，所述半导体插层设置于所述栅介质层的上表面，且所述半导体插层与所述源电极和所述漏电极均不接触；栅电极，所述栅电极设置于所述半导体插层的上表面。本申请实施例的技术方案，既能够提高以石墨烯为沟道层的晶体场效应管的饱和电流特性，又能够保留石墨烯迁移率高的特性，并且在工艺上易于规模制备。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种场效应晶体管，其特征在于，包括：衬底层；石墨烯沟道层，所述石墨烯沟道层设置于所述衬底层的上表面；源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极设置于所述石墨烯沟道层的上表面，且所述源电极与所述漏电极之间具有间隔；栅介质层，所述栅介质设置于所述石墨烯沟道层的上表面，且位于所述源电极和所述漏电极之间；半导体插层，所述半导体插层设置于所述栅介质层的上表面，且所述半导体插层与所述源电极和所述漏电极均不接触；栅电极，所述栅电极设置于所述半导体插层的上表面。
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