[发明专利]一种BTS/BST/BZT多层结构介电调谐薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201810265064.2 | 申请日： | 2018-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN108411256B | 公开（公告）日： | 2020-03-03 |
| 发明（设计）人： | 于仕辉;刘荣闯;赵乐;李玲霞;孙永涛 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C23C14/28 | 分类号： | C23C14/28;C23C14/08 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 张宏祥 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种BTS/BST/BZT多层结构介电调谐薄膜的制备方法，先将BTS、BST和BZT三种靶材及Pt/Ti/SiO |
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| 搜索关键词： | 一种 bts bst bzt 多层 结构 调谐 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种BTS/BST/BZT多层结构介电调谐薄膜的制备方法，具体步骤如下：(1)采用固相烧结法制备BTS、BST和BZT三种靶材，并将三种靶材装在脉冲激光沉积靶头上；(2)将清洁干燥的Pt/Ti/SiO2/Si衬底放入脉冲激光沉积系统样品台上；(3)将脉冲激光沉积系统的本底真空抽至1.0×10‑7‑1.0×10‑3Pa；(4)在步骤(3)系统中，衬底温度为600～800℃，激光能量为200‑600mJ，频率为3‑8Hz，靶基距为3‑10cm，沉积氧压为5‑50Pa；首先进行沉积得到BZT薄膜层，薄膜层厚度为50nm‑300nm；(5)步骤(4)停止后，再进行BST薄膜沉积，衬底温度为600～800℃，激光能量为200‑600mJ，频率为3‑8Hz，靶基距为3‑10cm，沉积氧压为5‑50Pa；进行沉积得到BST薄膜层，薄膜层厚度为50nm‑300nm；(6)步骤(5)结束后，再进行BTS薄膜沉积，衬底温度为500～750℃，激光能量为200‑600mJ，频率为3‑8Hz，靶基距为3‑10cm，沉积氧压为5‑50Pa；进行沉积得到BZT薄膜层，薄膜层厚度为50nm‑300nm，制得BTS/BST/BZT多层结构介电调谐薄膜；(7)在BTS/BST/BZT多层结构介电调谐薄膜上面利用掩膜版制备金属电极，并进行介电调谐性能测试。
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