[发明专利]一种四氧化三钴分级结构纳米阵列材料、制备方法及其应用有效
申请号: | 201810265641.8 | 申请日: | 2018-03-28 |
公开(公告)号: | CN108346522B | 公开(公告)日: | 2020-01-10 |
发明(设计)人: | 张小俊;丁孟梦 | 申请(专利权)人: | 安徽师范大学 |
主分类号: | H01G11/46 | 分类号: | H01G11/46;H01G11/86;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 34107 芜湖安汇知识产权代理有限公司 | 代理人: | 任晨晨 |
地址: | 241000 安徽省*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明提供了一种四氧化三钴分级结构纳米阵列材料、制备方法及其应用,在密闭的高温高压反应釜中,采用二次蒸馏水作为反应溶剂,加入钴盐、氟化铵和尿素混合均匀,通过加热反应体系,产生一个高压环境而制备氢氧化钴前驱体纳米线材料,随后,采用二次蒸馏水作为反应溶剂,加入2‑甲基咪唑,将负载在碳布上的氢氧化钴前驱体浸入溶液,以氢氧化钴为钴源,通过加热反应体系和反应时间控制ZIF67成核速率从而制备钴基金属有机框架(ZIF67)阵列。最后,通过煅烧分解得到四氧化三钴分级结构。产物纯度高、分散性好、且可控制,生产成本低,重现性好,具有循环稳定性、大的活性表面积,在超级电容器方面具有潜在的应用价值。 | ||
搜索关键词: | 四氧化三钴 分级结构 氢氧化钴 制备 加热反应体系 纳米阵列材料 二次蒸馏水 反应溶剂 前驱体 应用 高温高压反应釜 反应时间控制 金属有机框架 超级电容器 生产成本低 循环稳定性 浸入 产物纯度 分散性好 高压环境 甲基咪唑 尿素混合 制备钴基 煅烧分解 氟化铵 可控制 纳米线 潜在的 重现性 密闭 成核 碳布 钴盐 钴源 | ||
【主权项】:
1.一种四氧化三钴分级结构纳米阵列材料的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括以下步骤:/nS1:预处理碳布;/nS2:将钴盐、氟化铵和尿素溶解于二次蒸馏水中,所得混合溶液倒入反应釜,加入碳布,水热反应,结束后取出反应釜自然冷却至室温,产物经清洗干燥,得到负载在碳布上的氢氧化钴前驱体;/nS3:将氢氧化钴前驱体浸泡入有机配体水溶液,水热反应,然后,冷却,产物经清洗干燥,即可得到负载在碳布的ZIF67阵列材料;/nS4:将步骤S3制备得到的负载在碳布上的ZIF67阵列材料煅烧,即可得到四氧化三钴分级结构纳米阵列材料;/n步骤S3中所述水热反应是指75℃水热反应20-60分钟;/n步骤S3中所述有机配体浓度为1.2-3.0mol L
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