[发明专利]薄膜晶体管及制作方法、阵列基板、显示装置有效
| 申请号： | 201810265739.3 | 申请日： | 2018-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN108493238B | 公开（公告）日： | 2022-11-25 |
| 发明（设计）人： | 王承贤;安亚斌;杨静 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;绵阳京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/51;H01L29/786;H01L21/28;H01L21/34;H01L21/44;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 赵天月 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明公开了薄膜晶体管及制作方法、阵列基板、显示装置。该薄膜晶体管包括：栅极；以及内部绝缘层，所述内部绝缘层设置在所述栅极上，所述内部绝缘层包括N元素、O元素以及Si元素，在所述内部绝缘层中，沿着由靠近所述栅极一侧到远离所述栅极一侧的方向上，所述N元素的含量减少，所述O元素的含量增加。由此，该内部绝缘层为单一膜层，绝缘层内部无不同晶格形成的界面缺陷，对水汽和游离态的Na |
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| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制作方法 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：栅极；以及内部绝缘层，所述内部绝缘层设置在所述栅极上，所述内部绝缘层包括N元素、O元素以及Si元素，在所述内部绝缘层中，沿着由靠近所述栅极一侧到远离所述栅极一侧的方向上，所述N元素的含量减少，所述O元素的含量增加。
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