[发明专利]一种CMP后表面形貌预测方法及装置有效
| 申请号： | 201810265900.7 | 申请日： | 2018-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN110323147B | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 曹鹤;陈岚;孙艳;张贺;彩虹 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/306;G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 党丽;王宝筠 |
| 地址： | 100029 北京市朝阳*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种CMP后表面形貌预测方法及装置，获得待去除材料的研磨去除率时，采用的接触压力模型为研磨颗粒的接触压力分布与台阶高度差、线宽以及间距之间的数值模型，充分考虑了研磨颗粒对待去除材料的去除速率的影响，从而，能够更加客观真实地描述CMP的实际工艺情况，从而，可以实现更为精确的CMP后表面形貌预测及缺陷预测，提高CMP后表面形貌预测的精度，尤其适用于小尺寸器件晶元的CMP后表面形貌预测，为CMP工艺中参数设置以及设计优化提供指导。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cmp 表面 形貌 预测 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种CMP后表面形貌预测方法，其特征在于，包括：根据接触压力模型，获得待去除材料的研磨去除率，所述接触压力模型为研磨颗粒的接触压力分布与台阶高度差、线宽以及间距之间的模型；根据所述研磨去除率，获得CMP后晶元的表面形貌；根据所述CMP后晶元的表面形貌，进行缺陷分析。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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