[发明专利]一种半导体刻蚀腔体用梯度陶瓷溶射层的制备方法

摘要

本发明提供半导体刻蚀腔体用梯度陶瓷溶射层的制备方法，结合YF3和氧化钇材料各自的优缺点，使用等离子溶射在部件基体上制备一层氧化钇过渡层，然后在氧化钇过渡层上使用等离子溶射制备一层YF3耐腐蚀工作层。实现溶射层整体结合力达到8MPa以上，同时具有优异的耐高功率F系和Cl系等离子气体冲蚀性能，达到栅极特征线宽28nm以下制程工艺对刻蚀腔体使用寿命及particle的要求。

主权项

1.一种半导体刻蚀腔体用梯度陶瓷溶射层的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：步骤一、部件预处理；步骤二、水洗干燥；步骤三、选取氧化钇及YF3陶瓷粉末：氧化钇及YF3粉末粒度分布在10～90μm范围，纯度大于99.99％；步骤四、氧化钇过渡层溶射：使用六轴机械手操作等离子溶射喷枪对部件进行溶射作业，溶射时使用氮气或氩气冷却部件，控制部件表面温度低于80℃；溶射工艺参数：电流500～600A，电压55V～65V，主气流量35～50L/Min，次气流量4～10L/Min，送粉量20～60g/min，溶射距离100～150mm；步骤五、YF3工作层溶射：使用六轴机械手操作等离子溶射喷枪对部件进行溶射作业，溶射时使用氮气或氩气冷却部件，控制部件表面温度低于80℃；溶射工艺参数：电流450～550A，电压50V～60V，主气流量40～60L/Min，次气流量4～10L/Min，送粉量30～80g/min，溶射距离100～150mm；步骤六、水洗干燥。