[发明专利]一种BZN/BTS异质结构介电调谐薄膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种BZN/BTS异质结构介电调谐薄膜的制备方法，先将BZN即Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7靶材和BTS即BaSn0.15Ti0.85O3靶材与Pt/Ti/SiO2/Si衬底放入磁控溅射样品台上；系统的本底真空抽至1.0×10‑7‑1.0×10‑3Pa，加热衬底至400～700℃，使用Ar和O2作为溅射气体，溅射功率为50～200W，沉积得到BTS薄膜层，薄膜厚度为150nm‑800nm，然后在100‑2000Pa的氧气中原位退火5‑60min；再将制品于系统中进行BZN薄膜层沉积，薄膜厚度为20nm‑200nm，制得BZN/BTS异质结构介电调谐薄膜。本发明介电损耗低，调谐率高，且器件稳定性好，为电子通讯设备的开发和应用提供了优良的电子元器件基础。

主权项

1.一种BZN/BTS异质结构介电调谐薄膜的制备方法，具体步骤如下：(1)采用固相烧结法制备BZN即Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7靶材和BTS即BaSn0.15Ti0.85O3靶材。(2)将清洁干燥的Pt/Ti/SiO2/Si衬底放入磁控溅射样品台上；(3)将磁控溅射系统的本底真空抽至1.0×10‑7‑1.0×10‑3Pa，然后加热衬底至400～700℃；(4)在步骤(3)系统中，使用Ar和O2作为溅射气体，溅射功率为50～200W，衬底和靶材距离为40‑120cm，进行沉积得到BTS薄膜层，薄膜厚度为150nm‑800nm；然后在100‑2000Pa的氧气中原位退火5‑60min。(5)步骤(4)停止后，取出制品，并放置在脉冲激光沉积系统中进行BZN薄膜层沉积，本底真空抽至1.0×10‑7‑1.0×10‑3Pa，然后加热衬底至400～700℃，氧压为3‑30Pa，激光频率3‑8Hz，激光能量200‑600mJ，衬底和靶材距离为40‑80cm，薄膜厚度为20nm‑200nm，制得BZN/BTS异质结构介电调谐薄膜；(6)步骤(5)结束后，在BZN/BTS异质结构介电调谐薄膜上面利用掩膜版制备金属电极，进行介电调谐性能测试。