[发明专利]一种AMOLED时序控制电路的时序控制方法有效
申请号: | 201810267213.9 | 申请日: | 2018-03-28 |
公开(公告)号: | CN110322838B | 公开(公告)日: | 2020-12-25 |
发明(设计)人: | 周兴雨 | 申请(专利权)人: | 上海和辉光电股份有限公司 |
主分类号: | G09G3/3225 | 分类号: | G09G3/3225 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 201506 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及显示技术领域,公开了一种AMOLED时序控制电路的时序控制方法,包括初始化阶段:电源电压处于低电位状态,数据信号线处于关断状态或者低电位使有机发光二极管中无电流通过,有机发光二极管不发光;调整阶段:第二薄膜晶体管打开;数据写入阶段:第二节点写入数据信号线提供的电压,第二薄膜晶体管关闭;保持阶段:第二节点保持数据写入阶段写入的数据信号线提供的电压;驱动阶段:第二薄膜晶体管、第四薄膜晶体管及第五薄膜晶体管打开,有机发光二极管发光。上述时序控制方法中,通过对电源电压高低电平的调节实现对有机发光二极管亮暗的控制,由于通过对电源电压高低电平的控制,减小了延迟时间,提高了有机发光二极管的调节效果。 | ||
搜索关键词: | 一种 amoled 时序 控制电路 控制 方法 | ||
【主权项】:
1.一种AMOLED时序控制电路的时序控制方法,其特征在于,包括:进入初始化阶段,电源电压(ELVDD)处于低电位状态,发光信号线(En)提供低电位,第四薄膜晶体管(T4)及第五薄膜晶体管(T5)打开,第三节点(N3)的电压等于有机发光二极管(D1)阳极的电压,扫描控制信号线(Sn)提供低电位,第一薄膜晶体管(T1)及第三薄膜晶体管(T3)打开,第二节点(N2)的电压等于有机发光二极管(D1)阳极的电压,第二薄膜晶体管(T2)打开,电源电压(ELVDD)处于低电位状态、数据信号线(Data)处于关断状态或者提供低电位使得有机发光二极管(D1)中无电流通过,有机发光二极管(D1)不发光;进入调整阶段,所述调整阶段结束时,电源电压(ELVDD)等于电源负电压(ELVSS)或提供高电位状态,发光信号线(En)提供高电位,第四薄膜晶体管(T4)及第五薄膜晶体管(T5)关闭,有机发光二极管(D1)不发光,扫描控制信号线(Sn)提供高电位,第一薄膜晶体管(T1)及第三薄膜晶体管(T3)关闭,第二节点(N2)的电压保持等于有机发光二极管(D1)阳极的电压,第二薄膜晶体管(T2)打开;进入数据写入阶段,电源电压(ELVDD)处于低电位状态,发光信号线(En)提供高电位,第四薄膜晶体管(T4)及第五薄膜晶体管(T5)关闭,有机发光二极管(D1)不发光,扫描控制信号线(Sn)提供低电位,第一薄膜晶体管(T1)及第三薄膜晶体管(T3)打开,数据信号线(Data)提供高电位,第二节点(N2)写入数据信号线(Data)提供的电压,第二薄膜晶体管(T2)关闭;进入保持阶段,电源电压(ELVDD)等于电源负电压(ELVSS)或提供高电位状态,发光信号线(En)提供高电位,第四薄膜晶体管(T4)及第五薄膜晶体管(T5)关闭,有机发光二极管(D1)不发光,扫描控制信号线(Sn)提供高电位,第一薄膜晶体管(T1)及第三薄膜晶体管(T3)关闭,第二节点(N2)保持数据写入阶段写入的数据信号线(Data)提供的电压,第二薄膜晶体管(T2)关闭;进入驱动阶段,扫描控制信号线(Sn)提供高电位,第一薄膜晶体管(T1)及第三薄膜晶体管(T3)关闭,电源电压(ELVDD)提供高电位,发光信号线(En)提供低电位,第四薄膜晶体管(T4)及第五薄膜晶体管(T5)打开,第二薄膜晶体管(T2)处于打开状态,有机发光二极管(D1)发光。
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