[发明专利]轻小型永磁封装Ku波段同轴渡越器件

摘要

本发明涉及轻小型永磁封装Ku波段同轴渡越器件。加载聚焦阴极E的阴极A在外加高电压条件下发生爆炸电子发射，在经过级联双谐振反射腔时获得初步的速度预调制，速度调制充分转化为密度调制，提取腔内的高频电场与传入其中的群聚电子发生充分相互作用，产生的Ku波段HPM经同轴输出波导向外耦合输出，最后内导体B的轴向凹槽将剩余能量的电子束吸收。产生的磁场强度为0.3T，且永磁体的重量为63.5kg，在该导引磁场下，实现了电子束有效发射与传输。引入级联双谐振反射腔，减小调制腔中的电磁场向二极管区域耦合，降低电子束的径向波动，从而降低所需引导磁场。且该器件的工作模式为TM02模，使得该新型器件在Ku波段还具有较高的功率容量。

主权项

1.轻小型永磁封装Ku波段同轴渡越器件，包括阴极A、聚焦阴极E、内导体B、外导体C、永磁体D，整个结构关于中心轴线旋转对称，其特征在于，阴极A左端连接脉冲功率源的内导体，内导体B右端连接辐射系统的内导体，外导体C左端外接脉冲功率源的外导体，外导体C右端连接辐射系统的外导体；所述阴极A为左端为柱状圆筒、右端为平滑的不规则圆环，中间半径有突变，左端圆环的半径大于右端圆环的半径，阴极A的作用为产生和发射电子束；所述聚焦阴极E的形状为圆盘，圆盘厚度为r，聚焦阴极E的作用是对爆炸发射产生的电子束进行聚焦；所述内导体B是刻有七个径向凹槽、一个轴向凹槽的柱状圆筒，所述外导体C是刻有六个径向凹槽的柱状圆筒，所述永磁体D是规则的空心圆筒，所述内导体B与外导体C上前两个相对的径向凹槽形成级联双谐振反射腔，减小微波场向二极管区泄露，降低电子束的径向波动，有利于电子束引导磁场的降低，所述内导体B与外导体C上第三、四、五个相对应的径向凹槽形成调制腔，第六、七个相对的径向凹槽形成提取腔。