[发明专利]静电放电(ESD)保护装置以及用于操作ESD保护装置的方法有效
| 申请号： | 201810268285.5 | 申请日： | 2018-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN108666997B | 公开（公告）日： | 2022-02-25 |
| 发明（设计）人： | 赖大伟;曾韦智 | 申请（专利权）人： | 恩智浦有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/02 | 分类号： | H02H9/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 陈慧 |
| 地址： | 荷兰埃因霍温高科*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述了一种静电放电ESD保护装置以及一种用于操作ESD保护装置的方法的实施例。在一个实施例中，一种ESD保护装置包括：堆叠的第一和第二PNP双极型晶体管，所述堆叠的第一和第二PNP双极型晶体管被配置成响应于在第一节点与第二节点之间接收到的ESD脉冲而对所述第一节点与所述第二节点之间的电流进行分流；以及NMOS晶体管，所述NMOS晶体管与所述堆叠的第一和第二PNP双极型晶体管以及所述第二节点串联连接。所述第二PNP双极型晶体管的发射极和基极连接至所述第一PNP双极型晶体管的集电极。所述NMOS晶体管的栅极端连接至所述NMOS晶体管的源极端。还描述了其它实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 放电 esd 保护装置 以及 用于 操作 方法 | ||
【主权项】：
1.一种静电放电ESD保护装置，其特征在于，所述ESD保护装置包括：堆叠的第一和第二PNP双极型晶体管，所述堆叠的第一和第二PNP双极型晶体管被配置成响应于在第一节点与第二节点之间接收到的ESD脉冲而对所述第一节点与所述第二节点之间的电流进行分流，其中，所述第二PNP双极型晶体管的发射极和基极连接至所述第一PNP双极型晶体管的集电极；以及NMOS晶体管，所述NMOS晶体管与所述堆叠的第一和第二PNP双极型晶体管以及所述第二节点串联连接，其中，所述NMOS晶体管的栅极端连接至所述NMOS晶体管的源极端。
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