[发明专利]一种基于纳米晶体的有机/无机杂化n型半导体薄膜材料在审
| 申请号： | 201810268314.8 | 申请日： | 2018-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN108365104A | 公开（公告）日： | 2018-08-03 |
| 发明（设计）人： | 丁毅;侯国付;黄茜;张晓丹;赵颖 | 申请（专利权）人： | 南开大学 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42;H01L51/46 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300071*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体材料技术领域，提供了一种基于纳米晶体的有机/无机杂化n型半导体薄膜材料的设计及实现方法。该发明可以在保持有机半导体材料溶液法制备，柔性可折叠等诸多优势的前提下，通过在有机半导体材料中引入无机纳米晶体，在特定波长范围光照下，可以增加有机半导体材料中的电子浓度、大幅提高其电导率。本发明可以分别通过改变有机半导体材料和无机纳米晶体质量比例，或者改变照射光子的能量及通量，来实现对有机/无机杂化n型半导体薄膜材料电学特性的调制。 | ||
| 搜索关键词： | 有机半导体材料 无机杂化 无机纳米晶体 纳米晶体 半导体材料 电导率 溶液法制备 电学特性 可折叠 波长 光子 通量 调制 光照 照射 引入 | ||
【主权项】：
1.一种基于纳米晶体的有机/无机杂化n型半导体薄膜材料,其特征在于：通过在有机半导体材料中引入无机纳米晶体，在特定波长范围光照下，可以增加有机半导体材料中的电子浓度、大幅提高材料电导率，可以实现对有机/无机杂化半导体材料电学特性的调控。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
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