[发明专利]竖直堆叠存储器件

摘要

竖直堆叠存储器件包括掺杂半导体衬底，所述掺杂半导体衬底具有施加了源极电力的公共源极以及与公共源极间隔开的低带隙层，并且所述低带隙层包括低带隙材料。堆叠栅极结构具有沿第一方向交替地且竖直地堆叠在衬底上的栅电极和绝缘间层图案。沟道结构沿第一方向穿透堆叠栅极结构。沟道结构与低带隙层接触。电荷存储结构介于堆叠栅极结构和沟道结构之间。电荷存储结构配置为选择性地存储电荷，并且将存储的电荷提供给存储单元、堆叠栅极结构和沟道结构。

主权项

1.一种竖直堆叠存储器件，包括：掺杂半导体衬底，所述掺杂半导体衬底具有施加了源极电力的公共源极以及与所述公共源极间隔开的低带隙层，并且所述低带隙层包括低带隙材料；堆叠栅极结构，具有沿第一方向交替地且竖直地堆叠在所述衬底上的栅电极和绝缘间层图案；沟道结构，沿所述第一方向穿透所述堆叠栅极结构，所述沟道结构与所述低带隙层接触；以及电荷存储结构，介于所述堆叠栅极结构与所述沟道结构之间，并且选择性地存储电荷作为存储器数据，所述栅电极以及与所述栅电极相对应的所述沟道结构成及所述电荷存储结构配置成所述竖直堆叠存储器件的存储单元。