[发明专利]一种工业硅湿法冶金除硼的方法在审

专利信息
申请号: 201810268569.4 申请日: 2018-03-29
公开(公告)号: CN108328619A 公开(公告)日: 2018-07-27
发明(设计)人: 马文会;席风硕;李绍元;陈正杰;魏奎先;伍继君;谢克强;雷云;于洁;万小涵;杨斌;戴永年 申请(专利权)人: 昆明理工大学
主分类号: C01B33/037 分类号: C01B33/037
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 650093 云*** 国省代码: 云南;53
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摘要: 发明涉及一种工业硅湿法冶金除硼的方法,属于湿法提纯制备太阳能级硅技术领域,本发明以工业硅为原料,粉碎细磨后先通过金属纳米颗粒辅助刻蚀(MACE)法制得多孔硅粉,制备得到的多孔硅可使硅料内部包裹的夹杂硼充分暴露;然后将得到的多孔工业硅粉加入含有硼络合物配体的酸性混合溶液中进行浸出,加热并搅拌一定时间;经过滤、洗涤、干燥后可得到硼去除率大于90%的高纯工业硅粉;本发明所述方法操作简单、成本低、实用性强。
搜索关键词: 工业硅 工业硅粉 湿法冶金 多孔硅 除硼 制备 金属纳米颗粒 酸性混合溶液 太阳能级硅 硼络合物 湿法提纯 硼去除 高纯 硅料 浸出 刻蚀 配体 细磨 夹杂 加热 洗涤 暴露
【主权项】:
1.一种工业硅湿法冶金除硼的方法,其特征在于,具体步骤包括如下:(1)将工业硅粉碎细磨成50~200目粉状;(2)将步骤(1)得到的工业硅粉置于去离子水中超声清洗5~60min,在室温下用浓度为1~99wt%的酒精超声清洗5~60min,酒精与工业硅粉的液固比大于3:1,之后用去离子水冲洗至中性烘干备用;(3)将步骤(2)中得到的硅粉加入到金属盐、HF和醇类的混合溶液中沉积金属纳米粒子0.1~10min,混合溶液与硅粉的液固比为2:1~10:1,沉积完后在混合溶液中加入0.001~10mol/L H2O2刻蚀1~200min,刻蚀温度为10~80℃;然后用所配洗涤剂清洗掉多孔硅粉表面的金属纳米粒子,经过滤、分离、洗涤、烘干得到多孔工业硅粉;(4)将步骤(3)中得到的多孔工业硅粉加入到HF、HNO3和硼的络合物配体的酸性溶液进行浸出,酸性溶液与多孔硅粉之间液固比为2:1~10:1,浸出时间为1~300min,浸出温度为10~80℃,浸出过后采用去离子水清洗,直至洗液pH变为中性,过滤、洗涤、烘干,得到高纯硅粉。
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