[发明专利]石墨烯场效应晶体管有效
| 申请号： | 201810268710.0 | 申请日： | 2018-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN110323266B | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 秦旭东;徐慧龙 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/16;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 张雨竹 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请提供一种石墨烯场效应晶体管，涉及半导体技术领域，可提高器件输出电阻，从而提高开关比，实现更好的射频性能。一种石墨烯场效应晶体管，包括：衬底、第一栅电极、第二栅电极、第一栅介质层、第二栅介质层、沟道层以及源电极和漏电极；沟道层的材料包括AB堆垛双层石墨烯或者AB堆垛多层石墨烯；第一栅电极和第一栅介质层设置于沟道层的一侧，第二栅电极和第二栅介质层设置于沟道层的另一侧；第一栅电极包括多个间隔设置的第一子电极以及第一连接子电极；第一子电极的延伸方向与源电极和漏电极的间距方向交叉，第一连接子电极与沟道层在衬底上的投影无交叠；第一子电极和第二栅电极用于向沟道层提供垂直于沟道层的纵向电场。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种石墨烯场效应晶体管，其特征在于，包括：衬底、设置于所述衬底上的第一栅电极、第二栅电极、第一栅介质层、第二栅介质层、沟道层以及源电极和漏电极；所述沟道层的材料包括AB堆垛双层石墨烯或者AB堆垛多层石墨烯；所述源电极和所述漏电极间隔分布于所述沟道层两侧；所述第一栅电极和所述第一栅介质层设置于所述沟道层的一侧，所述第二栅电极和所述第二栅介质层设置于所述沟道层的另一侧；所述第一栅电极包括多个间隔设置的第一子电极以及将多个所述第一子电极电连接在一起的第一连接子电极；所述第一子电极的延伸方向与所述源电极和所述漏电极的间距方向交叉，所述第一连接子电极与所述沟道层在所述衬底上的投影无交叠；所述第一子电极和所述第二栅电极用于向所述沟道层提供垂直于所述沟道层的纵向电场。
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