[发明专利]一种短周期碳化硅纤维增强碳化硅复合材料的制备方法在审

专利信息
申请号: 201810268751.X 申请日: 2018-03-28
公开(公告)号: CN108424160A 公开(公告)日: 2018-08-21
发明(设计)人: 杨金华;焦健;姜卓钰;刘虎;焦春荣;吕晓旭;周怡然;杨瑞 申请(专利权)人: 中国航发北京航空材料研究院
主分类号: C04B35/80 分类号: C04B35/80;C04B35/565;C04B35/622
代理公司: 中国航空专利中心 11008 代理人: 陈宏林
地址: 100095 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明是一种短周期碳化硅纤维增强碳化硅复合材料的制备方法,该方法以碳化硅纤维作为增强体,首先在纤维表面制备界面层,进而通过PCS前驱体浸渍裂解法进行预制体定型、再通过熔融渗硅的方法实现材料的致密化,制备出碳化硅纤维增强碳化硅复合材料。本发明通过结合制备陶瓷基复合材料的前驱体浸渍裂解工艺与熔渗工艺两种工艺,即解决了前驱体浸渍裂解工艺周期长的缺点,又降低了熔渗工艺中纤维易受到损伤的缺点,有效缩短了陶瓷基复合材料的制备周期,有利于批量化制备碳化硅纤维增强碳化硅复合材料。
搜索关键词: 碳化硅复合材料 制备 碳化硅纤维 前驱体 陶瓷基复合材料 浸渍裂解工艺 短周期 熔渗 制备碳化硅纤维 浸渍 纤维表面 制备周期 界面层 批量化 预制体 增强体 致密化 中纤维 熔融 渗硅 定型 损伤
【主权项】:
1.一种短周期碳化硅纤维增强碳化硅复合材料的制备方法,其特征在于:该方法的步骤如下:步骤一、纤维编织,将碳化硅纤维编织成二维布;步骤二、纤维表面界面层制备,在纤维表面制备界面层,界面层为BN界面层与SiC界面层,BN界面层的厚度为0.1~1μm,SiC界面层的厚度为0.1~5μm;步骤三、前驱体浸渍,将固态PCS前驱体配制的溶液或液体PCS前驱体浸渍步骤二得到的带有界面层的纤维布;步骤四、定型,将二维布置于模具中铺层,并在130~350℃之间并保温1~5h进行热压定型并固化,得到预制体;步骤五、裂解,将步骤四得到的预制体在惰性气氛或真空环境下加热到800~1200℃进行裂解,得到多孔体;步骤六、引入反应碳源,将步骤五得到的多孔体采用高残炭树脂进行浸渍裂解或采用化学气相沉积的方法引入反应碳源;步骤七、熔渗,将步骤六得到的含有反应碳的多孔体置于石墨坩埚中,采用硅粉或硅合金粉对其进行熔渗,熔渗温度为1350~1480℃之间,气氛为真空气氛,得到碳化硅纤维增强碳化硅复合材料。
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