[发明专利]同时去除热氧化膜和去除沉积氧化膜的方法及设备

摘要

本发明提供一种同时去除热氧化膜和去除沉积氧化膜的方法及设备，包括如下步骤：1）提供一半导体衬底，半导体衬底具有隔离沟槽，半导体衬底上形成热氧化膜，隔离沟槽中形成沉积氧化膜；2）向半导体衬底上提供化学气相反应气体，化学气相反应气体对热氧化膜和沉积氧化膜产生化学反应，以在半导体衬底上形成在半导体衬底上的第一灰化层以及隔离沟槽上的第二灰化层；将半导体衬底进行灰化加热，以使得第一灰化层和第二灰化层由固态化合物分解为气体而被去除。本发明不会在热氧化膜和沉积氧化膜的交汇处形成空洞缺陷，可以有效避免器件漏电流的产生，进而确保器件的性能。

主权项

1.一种同时去除热氧化膜和去除沉积氧化膜的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：1)提供一半导体衬底，所述半导体衬底具有隔离沟槽，所述半导体衬底上形成热氧化膜，所述隔离沟槽中形成沉积氧化膜；2)以化学气相刻蚀方式同时去除在所述半导体衬底上的所述热氧化膜和所述沉积氧化膜，其中，步骤2)包括：向所述半导体衬底上提供化学气相反应气体，所述化学气相反应气体对所述热氧化膜和所述沉积氧化膜产生化学反应，以在所述半导体衬底上形成在所述半导体衬底上的第一灰化层以及所述隔离沟槽上的第二灰化层；以及，将所述半导体衬底进行灰化加热，以使得所述第一灰化层和所述第二灰化层由固态化合物分解为气体而被去除，并保留在所述隔离沟槽中的所述沉积氧化膜。