[发明专利]HKMG工艺中离子注入层的光刻工艺方法在审
| 申请号： | 201810270830.4 | 申请日： | 2018-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN108470677A | 公开（公告）日： | 2018-08-31 |
| 发明（设计）人： | 王耀增;黄永发;杨尚勇;刘隽瀚;王志宏;许邦泓;杨然富 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/033 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种HKMG工艺中离子注入层的光刻工艺方法，包括步骤：步骤一、提供一由半导体衬底，在半导体衬底上形成离子注入层；步骤二、在离子注入层的表面形成一层底层材料层，底层材料层将离子注入层表面的杂质封住；步骤三、在底层材料层表面涂布光刻胶；步骤四、对光刻胶进行光刻显影形成定义出离子注入区的光刻胶图形结构，通过底层材料层将离子注入层表面的杂质封住防止离子注入层表面的杂质影响光刻胶图形结构的形成。本发明能防止离子注入层表面的杂质影响光刻胶图形结构的形成，特别是能够防止酸性化学物质和碱性化学物质对光刻胶图形结构的影响，能分别消除光刻胶剥离和形成光刻胶脚状图形的缺陷，最后能提高产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 离子注入层 底层材料 光刻胶图形 光刻工艺 杂质影响 光刻胶 衬底 半导体 碱性化学物质 酸性化学物质 光刻胶剥离 离子注入区 表面涂布 表面形成 光刻显影 刻胶图形 脚状 良率 | ||
【主权项】：
1.一种HKMG工艺中离子注入层的光刻工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、提供一由半导体衬底，在所述半导体衬底上形成离子注入层；步骤二、在所述离子注入层的表面形成一层底层材料层，所述底层材料层将所述离子注入层表面的杂质封住；步骤三、在所述底层材料层表面涂布光刻胶；步骤四、对所述光刻胶进行光刻显影形成定义出离子注入区的光刻胶图形结构，通过所述底层材料层将所述离子注入层表面的杂质封住防止所述离子注入层表面的杂质影响所述光刻胶图形结构的形成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力集成电路制造有限公司，未经上海华力集成电路制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810270830.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：击穿式电熔丝结构及其形成方法、半导体器件
- 下一篇：半导体结构及其形成方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
