[发明专利]浅沟槽绝缘结构的制造方法

摘要

本发明公开了一种浅沟槽绝缘结构的制造方法，包括步骤：步骤一、在一半导体衬底上形成浅沟槽绝缘层；步骤二、光刻定义出有源区的形成区域；步骤三、对浅沟槽绝缘层进行刻蚀在有源区的形成区域中形成沟槽；步骤四、沉积形成将沟槽完全填充的半导体材料层；步骤五、进行半导体材料层的化学机械研磨并由研磨后填充于沟槽中的半导体材料层组成有源区。本发明能提高浅沟槽绝缘层的厚度的一致性，提高沟槽填充后的平坦性，消除CMP工艺形成的碟状结构。

主权项

1.一种浅沟槽绝缘结构的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、在一半导体衬底上形成浅沟槽绝缘层；步骤二、光刻定义出有源区的形成区域；步骤三、对所述浅沟槽绝缘层进行刻蚀并在所述有源区的形成区域中形成所述浅沟槽绝缘层被去除后的沟槽，所述沟槽的深度小于所述浅沟槽绝缘层的厚度；步骤四、沉积形成半导体材料层，所述半导体材料层将所述沟槽完全填充并延伸到所述沟槽外的所述浅沟槽绝缘层的表面；步骤五、进行化学机械研磨将所述沟槽外的所述半导体材料层去除以及将所述沟槽区域中的所述半导体材料层研磨到和所述浅沟槽绝缘层的表面相平，由所述化学机械研磨后填充于所述沟槽中的所述半导体材料层组成有源区，所述有源区的周侧被所述浅沟槽绝缘层隔离。