[发明专利]一种可控垂直硒化铋纳米片薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 201810271770.8 | 申请日： | 2018-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN108493274A | 公开（公告）日： | 2018-09-04 |
| 发明（设计）人： | 王振华;李名泽;张志东;高翾 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0328 | 分类号： | H01L31/0328;H01L31/18;C23C16/02;C23C16/30 |
| 代理公司： | 沈阳晨创科技专利代理有限责任公司 21001 | 代理人： | 崔晓蕾 |
| 地址： | 110015 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种可控垂直硒化铋纳米片薄膜，所述薄膜由垂直于基体的Bi2Se3纳米片组成，纳米片尺寸为50纳米～50微米。本发明采用化学气相沉积法制备Bi2Se3薄膜，该方法能够可控的制备出高质量的具有明显光电响应的薄膜，测试发现该薄膜具有N型导电特性，可以和P型硅基片形成N型薄膜/P型硅片的双层结构，具有明显的可见光和近红外光电响应能力和较快光电响应时间，尤其在近红外波段具有强的光响应能力，具有良好的电探测应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 纳米片 光电响应 垂直 硒化铋 可控 制备 化学气相沉积 近红外波段 可见光 红外光电 双层结构 响应能力 电探测 光响应 可控的 测试 应用 发现 | ||
【主权项】：
1.一种应用于光电材料的Bi2Se3薄膜，其特征在于：所述薄膜由垂直于基体的Bi2Se3纳米片组成，纳米片尺寸为50纳米～50微米。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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