[发明专利]显示装置及其阵列基板在审
申请号: | 201810272206.8 | 申请日: | 2018-03-29 |
公开(公告)号: | CN108511461A | 公开(公告)日: | 2018-09-07 |
发明(设计)人: | 韩约白 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/02 |
代理公司: | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人: | 孙伟峰 |
地址: | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种显示装置及其阵列基板,所述阵列基板包括呈阵列设置的多个薄膜晶体管,所述阵列基板包括从下而上依次设置的衬底、第一金属层、缓冲层、半导体层、栅绝缘层、第二金属层、层间介质层及第三金属层,所述第一金属层用于形成遮光部和第一接地线,所述第一接地线环绕所述遮光部设置,所述半导体层用于形成所述薄膜晶体管的有源层,所述半导体层的材质为低温多晶硅。本发明提出的阵列基板的第一金属层用于形成遮光部和第一接地线,所述第一接地线环绕所述遮光部设置,通过在阵列基板的第一金属层中形成第一接地线可以在阵列基板制程的前期有效防止ESD,从而避免大量的电荷聚集引起面板边缘电路炸伤,提高了产品良率。 | ||
搜索关键词: | 阵列基板 接地线 第一金属层 遮光部 半导体层 薄膜晶体管 显示装置 环绕 层间介质层 低温多晶硅 第二金属层 产品良率 电荷聚集 面板边缘 依次设置 栅绝缘层 阵列设置 缓冲层 金属层 衬底 源层 制程 电路 | ||
【主权项】:
1.一种阵列基板,其特征在于,包括呈阵列设置的多个薄膜晶体管,所述阵列基板包括从下而上依次设置的衬底、第一金属层、缓冲层、半导体层、栅绝缘层、第二金属层、层间介质层及第三金属层,所述第一金属层用于形成遮光部和第一接地线,所述第一接地线环绕所述遮光部设置,所述半导体层用于形成所述薄膜晶体管的有源层,所述半导体层的材质为低温多晶硅。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电技术有限公司,未经武汉华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810272206.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体装置
- 下一篇:有机发光二极管显示装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的