[发明专利]用于基于MEMS的致动器的叉合垂直阻尼器在审
| 申请号： | 201810272481.X | 申请日： | 2018-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN108803004A | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 凯文·Y·亚苏穆拉 | 申请（专利权）人： | 谷歌有限责任公司 |
| 主分类号： | G02B26/08 | 分类号： | G02B26/08 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 周亚荣;安翔 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本申请涉及用于基于MEMS的致动器的叉合垂直阻尼器。一种微机电系统(MEMS)镜组件包括限定腔的基底基板和从腔的底部向上延伸的多个第一特征。MEMS镜组件包括耦接到基底基板并限定MEMS致动器和MEMS镜平台的镜基板。MEMS致动器的致动将MEMS镜平台从第一位置状态移动到第二位置状态。MEMS镜平台在MEMS镜平台的面向基底基板的一侧上限定多个第二特征，所述多个第二特征的尺寸、形状和位置使得当镜平台处于第二位置状态时，多个第二特征延伸到分隔多个第一特征的空间中。MEMS镜组件包括设置在MEMS镜平台的远离基底基板的一侧上的反射材料。 | ||
| 搜索关键词： | 基底基板 垂直阻尼 第二位置 组件包括 致动器 叉合 微机电系统 形状和位置 第一位置 反射材料 向上延伸 状态移动 镜基板 镜组件 限定腔 状态时 分隔 致动 延伸 申请 | ||
【主权项】：
1.一种微机电系统(MEMS)镜组件，包括：基底基板，所述基底基板限定腔和从所述腔的底部向上延伸的多个第一特征；镜基板，所述镜基板耦接到所述基底基板并限定MEMS致动器和MEMS镜平台，其中所述MEMS致动器的致动将所述MEMS镜平台从第一位置状态移动到第二位置状态，并且在所述MEMS镜平台的面向所述基底基板的一侧上限定有多个第二特征，所述多个第二特征的尺寸、形状和位置被设定为使得当所述MEMS镜平台处于所述第二位置状态时，所述多个第二特征延伸到分隔所述多个第一特征的空间中；以及设置在所述MEMS镜平台的远离所述基底基板的一侧上的反射材料。
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