[发明专利]半导体装置结构的制造方法在审
| 申请号： | 201810272560.0 | 申请日： | 2018-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN109727869A | 公开（公告）日： | 2019-05-07 |
| 发明（设计）人： | 沈香谷;鄞金木;萧琮介;庄家霖;游力蓁;陈殿豪;王士玮;余德伟;陈建豪;卢柏全;李志鸿;徐志安;洪敏修;黄鸿仪;周俊诚;庄英良;黄彦钧;彭治棠;赵晟博;陈燕铭 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/417 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张福根;冯志云 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 根据本公开一些实施例，提供半导体装置结构的制造方法。上述方法包含形成鳍结构于基底上。上述方法亦包含形成栅极结构于鳍结构上。上述方法还包含形成鳍间隙物于鳍结构的侧壁上，及形成栅极间隙物于栅极结构的侧壁上。此外，上述方法包含形成源/漏极结构于鳍结构上，及沉积虚置材料层以覆盖源/漏极结构。上述方法亦包含移除虚置材料层以露出源/漏极结构及鳍间隙物。上述方法还包含形成硅化物层于源/漏极结构及鳍间隙物上，且形成接触物于硅化物层上。虚置材料层包含锗、非晶硅或旋涂碳。 | ||
| 搜索关键词： | 源/漏极 鳍结构 材料层 间隙物 半导体装置结构 硅化物层 栅极结构 侧壁 栅极间隙 非晶硅 接触物 基底 旋涂 移除 沉积 制造 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置结构的制造方法，包括：形成一鳍结构于一基底上；形成一栅极结构于该鳍结构上；形成鳍间隙物于该鳍结构的侧壁上及栅极间隙物于该栅极结构的侧壁上；形成一源/漏极结构于该鳍结构上；沉积一虚置材料层以覆盖该源/漏极结构；移除该虚置材料层以露出该源/漏极结构及该鳍间隙物；形成一硅化物层于该源/漏极结构及该鳍间隙物上；以及形成一接触物于该硅化物层上，其中该虚置材料层包括锗、非晶硅或旋涂碳。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
