[发明专利]一种碳纳米管的制备方法在审
| 申请号： | 201810273246.4 | 申请日： | 2018-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN108455568A | 公开（公告）日： | 2018-08-28 |
| 发明（设计）人： | 陈泽祥;屈忆;吴庆阳 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C01B32/162 | 分类号： | C01B32/162;C23C16/26 |
| 代理公司： | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人： | 白桂林;马林中 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳纳米管的制备方法，包括以下步骤：(1)在基片上制备催化剂阵列；(2)将基片放入CVD反应装置中，并抽真空；(3)通入氢气，并调整气体流量为50‑500sccm；(4)调节CVD反应装置内的气压为10‑80mBar；(5)加热基片，使其温度为600‑900℃并保温；(6)使基片温度降低5‑500℃并保温，通入碳源气体生长碳纳米管；(7)碳纳米管生长结束后，使基片温度降低至室温，取出基片，得到碳纳米管阵列。本发明根据催化剂裂解形成纳米颗粒的温度与碳纳米管生长的最佳温度不同这一新发现，分别设定适于催化剂裂解的温度和适于碳纳米管生长的温度，得到缺陷少、长度一致的碳纳米管阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 碳纳米管生长 碳纳米管阵列 反应装置 碳纳米管 温度降低 裂解 制备 催化剂 保温 生长碳纳米 制备催化剂 长度一致 加热基片 纳米颗粒 气体流量 碳源气体 氢气 抽真空 放入 气压 取出 发现 | ||
【主权项】：
1.一种碳纳米管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)在基片上制备催化剂阵列；(2)将制备好的基片放入CVD反应装置中，并抽真空；(3)通入氢气，并调整气体流量为50‑500sccm；(4)调节CVD反应装置内的气压为10‑80mBar；(5)加热基片，使其温度为600‑900℃并保温，使催化剂裂解成纳米颗粒；(6)使基片温度降低5‑500℃并保温，通入碳源气体生长碳纳米管；(7)碳纳米管生长结束后，关闭碳源气体，使基片温度降低至室温，关闭氢气，取出基片，得到碳纳米管阵列。
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