[发明专利]一种LED芯片在审

专利信息
申请号: 201810273304.3 申请日: 2018-03-29
公开(公告)号: CN108470810A 公开(公告)日: 2018-08-31
发明(设计)人: 朱秀山 申请(专利权)人: 映瑞光电科技(上海)有限公司
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/60
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 智云
地址: 201306 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种LED芯片,所述LED芯片包括发光二极管、电流阻挡结构和电极,电流阻挡结构包括第一电流阻挡结构和第二电流阻挡结构,第一电流阻挡结构位于第一半导体层上,第二电流阻挡结构位于第二半导体层上,第一电极通过第一电流阻挡结构连接第一半导体层,第二电极通过第二电流阻挡结构连接第一半导体层。在本发明提供的LED芯片中,由第一电极通过第一电流阻挡结构连接第一半导体层,以及由第二电极通过第二电流阻挡结构连接所述第二半导体层,当电流由电极流经发光二极管时,电流阻挡结构可以改变电流的流向,达到有效改善发光分布的作用;同时,电流阻挡结构增加电极对光的反射能力,对于超出全反射角的光线全部都会反射回LED芯片内部。
搜索关键词: 电流阻挡结构 半导体层 电极 发光二极管 第二电极 第一电极 反射能力 全反射角 反射 发光
【主权项】:
1.一种LED芯片,其特征在于,所述LED芯片包括:发光二极管,所述发光二极管包括第一半导体层以及与所述第一半导体层连接的第二半导体层;电流阻挡结构,所述电流阻挡结构包括第一电流阻挡结构和第二电流阻挡结构,所述第一电流阻挡结构位于所述第一半导体层上,所述第二电流阻挡结构位于所述第二半导体层上;电极,所述电极包括第一电极和第二电极,所述第一电极通过第一电流阻挡结构连接所述第一半导体层,所述第二电极通过第二电流阻挡结构连接所述第二半导体层。
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