[发明专利]SiCMOSFET变换器的过流保护装置及保护方法

摘要

本发明公开了SiCMOSFET变换器的过流保护装置及保护方法。包括：漏源电压检测单元、逻辑处理单元、脉冲封锁单元、SiCMOSFET和驱动单元五部分。漏源电压检测单元通过电阻分压完成SiCMOSFET的漏源电压检测，反映SiCMOSFET的漏极电流；通过三极管、稳压管和比较器等完成过流信号的检测；通过三极管的射集电压选择检测SiCMOSFET仅在通态时的漏源电压，并通过稳压管抑制三极管射集电压尖峰，有效避免了过电流保护的误动作，使SiCMOSFET变换器的运行安全可靠；调节可变电阻的大小可改变过电流保护的阈值，设置灵活方便。该漏源电压检测的过流保护装置及方法，成本低，安全可靠，检测速度快。

主权项

1.SiCMOSFET变换器的过流保护装置，其特征在于，包括：漏源电压检测单元(1)，所述漏源电压检测单元(1)依次连接逻辑处理单元(2)、脉冲封锁单元(3)和SiCMOSFET(4)的栅极，所述漏源电压检测单元(1)还同时与SiCMOSFET(4)的漏极和源极连接，所述漏源电压检测单元(1)还连接脉冲封锁单元(3)，所述脉冲封锁单元(3)还同时与驱动单元(5)两端和SiCMOSFET(4)的源极连接；所述逻辑处理单元(2)包括或非门U1N，所述或非门U1N的第一输入端与漏源电压检测单元(1)连接，或非门U1N的第二输入端与电阻R7的一端相连，电阻R7另一端与发光二极管D2的阳极相连，发光二极管D2的阴极与参考地相连；所述或非门U1N还设有可与外部控制器相连的第二输入端；所述或非门U1N的输出端与与非门U2N的第一输入端相连，与非门U2N的第二输入端与与非门U3N的输出端相连，与非门U2N的输出端O2同时与脉冲封锁单元(3)和与非门U3N的第一输入端连接，所述与非门U3N的第二输入端依次连接开关S和电源。