[发明专利]一种铌酸锂电光调制器有效
| 申请号： | 201810273739.8 | 申请日： | 2018-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN108681111B | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 周建伟;夏君磊;郑国康;刘瑞丹;乔建坤;宁智超;徐玉亮 | 申请（专利权）人： | 北京航天时代光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/03 | 分类号： | G02F1/03;G02F1/035 |
| 代理公司： | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人： | 张丽娜 |
| 地址： | 100094*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种铌酸锂电光调制器，特别涉及一种低半波电压铌酸锂电光调制器，属于铌酸锂电光调制器技术领域。本发明将行波电极和直流偏置电极合二为一，通过匹配电路上的电容实现了只将直流电压加载在行波电极的中心电极上的作用，保证了直流调制的进行，同时，利用电容的通高频性质，没有影响微波的传播，保证了调制器的高速调制。提高了器件集成度，在保持芯片长度不变和器件整体尺寸不变的条件下，芯片上的电极长度大幅度增加，从而大幅降低了调制器的直流半波电压和微波半波电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 铌酸锂 电光 调制器 | ||
【主权项】：
1.一种铌酸锂电光调制器，其特征在于：该调制器包括铌酸锂衬底(1)、波导(2)、行波电极(3)和匹配电路(5)；所述的波导(2)位于铌酸锂衬底(1)上表面的内部；所述的行波电极(3)位于铌酸锂衬底(1)上表面；所述的波导(2)位于行波电极(3)之间；所述的匹配电路(5)与行波电极(3)连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京航天时代光电科技有限公司，未经北京航天时代光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810273739.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
