[发明专利]一种基于p型透明栅极GaN基紫外探测器的制备方法

摘要

本发明涉及半导体光电器件的技术领域，更具体地，涉及一种基于p型透明栅极GaN基紫外探测器的制备方法。包括下述步骤：首先提供具有低铝组分AlGaN/GaN的异质结材料，采用光刻显影技术及湿法腐蚀在栅极区域沉积一层掩膜层，利用选择区域外延技术生长接入区的顶层高铝组分AlGaN而获得凹槽，在两端形成源极和漏极区域并覆盖金属形成源极和漏极沉积，最后在栅极区域沉积透明的p型氧化物作为栅极对作为光学窗口。接入区的高铝组分AlGaN能提升沟道载流子浓度进而提升探测器的增益，而栅极区域的低铝组分AlGaN可以降低沟道电子浓度降低暗电流。本发明工艺简单，可以很好地解决传统氮化镓基紫外探测器在增益、暗电流、及栅极吸光之间的相互制约关系，并可以与电子器件工艺兼容。

主权项

1.一种基于p型透明栅极GaN基紫外探测器的制备方法，结合选择区域生长叠层势垒层及p型透明栅极材料实现高性能，其特征在于，具体包括以下步骤：S1、在衬底（1）上生长应力缓冲层（2）；S2、在应力缓冲层上生长GaN外延层（3）；S3、在GaN外延层（3）上生长一层低铝组分AlGaN势垒层（4）；S4、在低铝组分AlGaN势垒层上沉积一层SiO2掩膜层，通过光刻及湿法腐蚀的方法，只保留栅极区域的掩膜层（8）；S5、在接入区的低铝组分AlGaN势垒层（4）上生长一层高铝组分AlGaN势垒层（5）；S6、去除栅极区域掩膜材料形成凹槽结构，露出栅极低铝组分AlGaN势垒层（4）；S7、干法刻蚀完成器件隔离，在源极和漏极区域蒸镀上源极和漏极欧姆接触金属（6）；S8、在凹槽栅极区域p型透明栅极（7）。