[发明专利]湿法链式刻蚀槽进液结构在审
| 申请号： | 201810274810.4 | 申请日： | 2018-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN108447805A | 公开（公告）日： | 2018-08-24 |
| 发明（设计）人： | 陈玉;唐麟 | 申请（专利权）人： | 无锡尚德太阳能电力有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L31/18 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良;刘海 |
| 地址： | 214028 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种湿法链式刻蚀槽进液结构，其特征是：包括设置于湿刻槽槽体底部的进液盒，进液盒设置于远离硅片进料方向的一侧；在所述进液盒朝向硅片进料方向的一侧设置有一排出液排孔，进液盒的底部设置进液口，进液盒通过进液口与进液管路连接。本发明能够提高槽体进液的稳定性，避免硅片表面产生气泡印而生的降低，减少或杜绝不良片的产生。 | ||
| 搜索关键词： | 进液盒 进料方向 进液结构 进液口 刻蚀槽 硅片 槽体 链式 湿法 硅片表面 进液管路 排出液 进液 刻槽 排孔 | ||
【主权项】：
1.一种湿法链式刻蚀槽进液结构，其特征是：包括设置于湿刻槽槽体（1）底部的进液盒（2），进液盒（2）设置于远离硅片进料方向的一侧；在所述进液盒（2）朝向硅片进料方向的一侧设置有一排出液排孔（3），进液盒（2）的底部设置进液口（6），进液盒（2）通过进液口（6）与进液管路（7）连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
