[发明专利]一种温度补偿薄膜电阻及其制作方法在审
| 申请号： | 201810275443.X | 申请日： | 2018-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN108417643A | 公开（公告）日： | 2018-08-17 |
| 发明（设计）人： | 刘万鹏;黄添懋 | 申请（专利权）人： | 成都海威华芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/8605 | 分类号： | H01L29/8605;H01C7/00 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 徐丰;张巨箭 |
| 地址： | 610029 四川省成都市双流区中国（四川）自*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种温度补偿薄膜电阻，包括衬底、SiNx薄膜、金属引线、氮化钽薄膜和氮化钛薄膜，所述SiNx薄膜设置于衬底上方，所述金属引线、氮化钽薄膜和氮化钛薄膜均设置于SiNx薄膜上方，所述金属引线设置于薄膜SiNx上表面两端位置，所述氮化钽薄膜和氮化钛薄膜设置于SiNx薄膜两端的金属引线之间，所述氮化钽薄膜与氮化钛薄膜相互连接后连接至SiNx薄膜两端的金属引线，以控制氮化钽薄膜电阻温度系数。本发明利用TiN薄膜正电阻温度系数和非常好的化学稳定特性，使得该TaN基温度补偿薄膜电阻的电阻温度系数（TCR）可以控制在非常低的水平，并且具有很好的化学稳定性，可靠性高，与化合物半导体MMIC工艺具有很好的兼容性。 | ||
| 搜索关键词： | 金属引线 氮化钛薄膜 氮化钽薄膜 薄膜电阻 温度补偿 衬底 薄膜 氮化钽薄膜电阻 正电阻温度系数 电阻温度系数 化合物半导体 化学稳定性 化学稳定 两端位置 温度系数 兼容性 上表面 制作 | ||
【主权项】：
1.一种温度补偿薄膜电阻，其特征在于，包括衬底、SiNx薄膜、金属引线、氮化钽薄膜和氮化钛薄膜，所述SiNx薄膜设置于衬底上方，所述金属引线、氮化钽薄膜和氮化钛薄膜均设置于SiNx薄膜上方，所述金属引线设置于薄膜SiNx上表面两端位置，所述氮化钽薄膜和氮化钛薄膜设置于SiNx薄膜两端的金属引线之间，所述氮化钽薄膜与氮化钛薄膜相互连接后连接至SiNx薄膜两端的金属引线，以控制氮化钽薄膜电阻温度系数。
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