[发明专利]石墨烯加热膜的制备工艺有效
申请号: | 201810275784.7 | 申请日: | 2018-03-30 |
公开(公告)号: | CN108684084B | 公开(公告)日: | 2021-04-23 |
发明(设计)人: | 徐鑫;马金鑫;姜浩 | 申请(专利权)人: | 重庆墨希科技有限公司 |
主分类号: | H05B3/02 | 分类号: | H05B3/02;H05B3/34 |
代理公司: | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人: | 刘文娟 |
地址: | 401329 重*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | 本发明公开了一种工艺简单,能够形成完整的石墨烯电热膜的石墨烯加热膜的制备工艺。该石墨烯加热膜的制备工艺依次包括以下步骤:S1、对催化衬底铜箔进行退火处理;对退火铜箔进行微刻蚀处理,在铜箔表面生长二维连续结构的石墨烯层,得到结构Ⅰ;S2、采用UV胶将结构Ⅰ的石墨烯转移到目标透明基底上,并去除催化衬底,得到结构Ⅱ;S3、设计表面印刷线路图案,对结构Ⅱ进行激光刻蚀,将银浆线路所对应的下方石墨烯层去除,暴露出UV胶层;对位印刷银浆线路,得到结构Ⅲ;S4、对位贴合OCA胶膜及表面封装层于复合导电结构Ⅲ表面,得到电热模块Ⅳ。采用该石墨烯加热膜的制备工艺能够提高石墨烯加热膜红外发射率,提升制备成品率,延长使用寿命。 | ||
搜索关键词: | 石墨 加热 制备 工艺 | ||
【主权项】:
1.石墨烯加热膜的制备工艺,其特征在于,依次包括以下步骤:S1、对催化衬底铜箔(101)进行退火处理,使其晶区粗化;对退火铜箔进行微刻蚀处理,在表面粗化的铜箔表面生长二维连续结构的石墨烯层(102),得到结构Ⅰ;S2、采用UV胶将结构Ⅰ的石墨烯转移到目标透明基底上,并去除催化衬底,得到自上而下的CVD石墨烯、UV胶层(201)、透明基底(202)的结构Ⅱ;S3、设计表面印刷线路图案,对上述结构Ⅱ进行激光刻蚀,将银浆线路所对应的下方石墨烯层去除,暴露出UV胶层;对位印刷银浆线路,得到自上而下的银浆线路(301)、CVD石墨烯层、UV胶层(201)、透明基底(202)的功能化复合导电结构Ⅲ;S4、对位贴合OCA胶膜及表面封装层于复合导电结构Ⅲ表面,得到至上而下的透明表面封装层(401)、OCA胶层(402)、银浆印刷线路(301)、CVD石墨烯层、UV胶层(201)、透明基底(202)的电热模块Ⅳ。
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