[发明专利]一种LED芯片及其制造方法

摘要

本发明提供了一种LED芯片及其制造方法，首先提供一包含N型外延层、量子阱层及P型外延层的外延结构，刻蚀所述外延结构至剩余部分所述N型外延层，形成隔离凹槽，然后形成导电层、DBR反射层、接触层、绝缘层及键合金属层，通过键合金属层与第二衬底键合并去除第一衬底，最后在暴露出的N型外延层上形成保护层并制作P型衬垫，形成具有垂直结构的LED芯片。本发明采用DBR反射层，有效增强对紫光的反射率，提高LED的出光效率。同时本发明提供的具有垂直结构的LED芯片增加了N型外延层的扩展，使芯片的发光分布更加均匀。

主权项

1.一种LED芯片制造方法，其特征在于，包括：提供外延结构，所述外延结构包括第一衬底与外延层，所述外延层包括自下至上依次形成于所述第一衬底上的N型外延层、量子阱层及P型外延层；刻蚀所述外延层，直至剩余部分厚度的所述N型外延层，以形成隔离凹槽；在所述P型外延层上形成导电层，并进行图案化，暴露出部分所述P型外延层；在所述外延层和导电层上形成DBR反射层，并进行图案化，暴露出部分所述导电层及所述隔离凹槽底部的N型外延层；形成接触层，所述接触层至少覆盖暴露出的部分所述导电层及所述隔离凹槽底部的N型外延层；在所述接触层上形成绝缘层，并进行图案化，暴露出所述隔离凹槽底部的所述接触层，在所述绝缘层及暴露出的所述接触层上形成键合金属层；提供第二衬底，将所述第二衬底与所述键合金属层进行键合并去除所述第一衬底。