[发明专利]一种高损伤阈值的高反膜及制备方法有效
| 申请号： | 201810279144.3 | 申请日： | 2018-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN108445567B | 公开（公告）日： | 2020-09-18 |
| 发明（设计）人： | 吴绍龙;吴爱华 | 申请（专利权）人： | 苏州沛斯仁光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G02B5/08 | 分类号： | G02B5/08 |
| 代理公司： | 无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260 | 代理人： | 张欢勇 |
| 地址： | 215200 江苏省苏州市吴江经*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明属于光学技术领域，具体涉及一种高反射膜以及制作高反射膜的方法；要解决的问题是界面缺陷所导致的光吸收，针对已产生的热实现快速传导，以避免出现热累积效应；以晶硅为基底，然后在晶硅一个表面进行模板辅助的化学腐蚀硅刻蚀，得到间距为微米量级、表面为介孔状的硅微米线阵列；在未被腐蚀的基底的另一表面，使用原子层沉积技术生长高折射率薄膜，接着使用溶胶‑凝胶法生长低折射率薄膜，高低折射率的光学厚度分别为目标波长的1/4；所述的高折射率薄膜和低折射率薄膜组成高低折射率薄膜对；重复生长光学厚度为1/4波长的高低折射率薄膜对若干次，最后再依次生长光学厚度为1/4波长的高折射率薄膜和光学厚度为1/2波长的低折射率薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 损伤 阈值 高反膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高损伤阈值的高反膜，以晶硅为基底，所述基底其中一个表面上均匀布设有间距为微米量级的介孔状的硅微米线阵列，基底的另一表面上设置若干组光学厚度为1/4波长的高低折射率薄膜对，以基底表面为内侧，所述的高低折射率薄膜对自内侧向外侧依次为光学厚度为1/4波长高折射率薄膜、光学厚度为1/4波长低折射率薄膜；最外侧的高低折射率薄膜对外侧依次为光学厚度为1/4波长的高折射率薄膜和光学厚度为1/2波长的低折射率薄膜。
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