[发明专利]加工方法在审

申请号：	201810281387.0	申请日：	2018-04-02
公开（公告）号：	CN108695248A	公开（公告）日：	2018-10-23
发明（设计）人：	朴美玉	申请（专利权）人：	株式会社迪思科
主分类号：	H01L21/78	分类号：	H01L21/78;H01L21/304
代理公司：	北京三友知识产权代理有限公司 11127	代理人：	于靖帅;乔婉
地址：	日本***	国省代码：	日本;JP
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摘要：	提供加工方法，在对形成有膜的板状的被加工物进行分割的情况下，不使切削刀具产生堵塞，并且，即使不使用激光加工装置也能够对被加工物进行加工。一种加工方法，对在板状物(W1)的背面(W1b)上形成有膜(W2)并且在正面(W1a)上设定有交叉的多条分割预定线(S)的被加工物(W)沿着分割预定线(S)进行分割而形成多个芯片，其中，该加工方法具有如下的步骤：从被加工物(W)的正面(W1a)沿着分割预定线(S)形成槽的步骤；在实施槽形成步骤之前或之后将扩展片(T1)粘贴在被加工物(W)的背面(W1b)上的步骤；对形成有槽的被加工物(W)的扩展片(T1)进行扩展而沿着槽对膜(W2)施加外力的步骤；以及在实施了扩展步骤之后从扩展片(T1)拾取芯片的步骤。
搜索关键词：	被加工物分割预定线加工背面芯片激光加工装置切削刀具板状物槽形成分割板状拾取粘贴施加堵塞
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【主权项】：

1.一种加工方法，对在板状物的背面上形成有膜并且在正面上设定有交叉的多条分割预定线的被加工物沿着该分割预定线进行分割而形成多个芯片，其中，该加工方法具有如下的步骤：槽形成步骤，从被加工物的正面沿着该分割预定线形成槽；扩展片粘贴步骤，在实施该槽形成步骤之前或之后，将扩展片粘贴在被加工物的背面上；扩展步骤，对形成有该槽的被加工物的该扩展片进行扩展而沿着该槽对该膜施加外力；以及拾取步骤，在实施了该扩展步骤之后，从该扩展片拾取芯片。

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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