[发明专利]一种直接氮化制备高性能Ta3N5/Bi光催化材料的方法在审

专利信息
申请号: 201810281625.8 申请日: 2018-04-02
公开(公告)号: CN108404963A 公开(公告)日: 2018-08-17
发明(设计)人: 王少莽;关媛;陆武;翁彭;马兴东;吴鑫泉 申请(专利权)人: 常州大学
主分类号: B01J27/24 分类号: B01J27/24;B01J37/08;B01J37/16;C07C1/02;C07C9/04
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 213164 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明采用低功函的金属Bi修饰Ta3N5,使得Ta3N5界面能带向下弯曲,在界面处Ta3N5一侧构筑了一个由表面指向体相的电场,驱动Ta3N5光生电子转移至金属Bi。此外,本发明公开了一种直接氮化钽酸铋原位获得Ta3N5/Bi的方法,Ta3N5和Bi之间的接触更加紧密。Ta3N5一侧的界面电场和优质的界面结极大地提高了Ta3N5光生载流子的分离效率,有效地抑制了CH4产生的逆向反应,从而显著提高其光催化还原CO2为CH4的活性。
搜索关键词: 光生电子转移 金属 光催化材料 光催化还原 光生载流子 制备高性能 氮化 电场 表面指向 分离效率 界面电场 向下弯曲 氮化钽 低功函 界面处 界面能 有效地 酸铋 体相 修饰 驱动 构筑
【主权项】:
1.一种利用钽酸铋原位制备Ta3N5/Bi的方法,其特征是包括以下步骤:(1)以五氧化二钽、氧化铋为原料,以氯化钠和氯化钾混合物为熔盐介质,750~950℃高温焙烧4~6h,抽滤、去离子水反复洗涤去除氯化钠和氯化钾后,80℃干燥后得钽酸铋。(2)以钽酸铋为前驱体,将其置于管式炉中以400~600mL/min的流量通入NH3,以5~10℃/min的升温速率将其加热至750~850℃,并将温度保持在750~850℃,焙烧8~12h,保持氨气流量不变,自然冷却至室温,得棕红色的Ta3N5/Bi。
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