[发明专利]一种LED芯片及制作方法有效
| 申请号： | 201810282133.0 | 申请日： | 2018-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN108511569B | 公开（公告）日： | 2019-12-06 |
| 发明（设计）人： | 刘英策;宋彬;吴奇隆;李俊贤;魏振东;邬新根 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/20;H01L33/00;H01L33/10;H01L33/14 |
| 代理公司： | 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王宝筠<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 361100 福建省厦门市火炬*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种LED芯片及制作方法，该LED芯片通过不同的结构设计使LED芯片结构的中间区域为低反射区域，而周边区域为高反射区域，进而使微LED芯片发出的光更多的被集中于芯片周边区域，进而明显增大了微LED芯片的发光角，以此改善由单个微LED芯片拼接带来的拼接区域亮度偏低的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片周边区域 低反射区域 高反射区域 拼接区域 中间区域 周边区域 发光角 拼接 制作 | ||
【主权项】：
1.一种LED芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：/n提供一衬底；/n在所述衬底上生长外延层结构；所述外延层结构包括：在第一方向上依次设置的第一型半导体层、量子阱发光层和第二型半导体层；其中，所述第一方向垂直于所述衬底，且由所述衬底指向所述外延层结构；/n刻蚀部分所述第二型半导体层和所述量子阱发光层，直至暴露出所述第一型半导体层，形成电极凹槽；/n在部分所述第二型半导体层上形成欧姆接触金属吸收层；/n在部分所述第二型半导体层上和所述欧姆接触金属吸收层上形成反射层和在所述反射层上形成阻挡层，在所述电极凹槽内形成电极扩展材料，在所述阻挡层和所述电极扩展材料上形成具有反射特性的绝缘隔离层；或在部分所述第二型半导体层上形成所述反射层和在所述反射层上形成所述阻挡层，在所述电极凹槽内形成电极扩展材料，在所述阻挡层和所述欧姆接触金属吸收层和所述电极扩展材料上形成具有反射特性的绝缘隔离层；/n在所述电极凹槽对应的上方刻蚀所述绝缘隔离层形成第一电极接触孔，刻蚀部分所述绝缘隔离层直至暴露出所述阻挡层形成第二电极接触孔；/n通过所述第一电极接触孔制作第一金属电极，通过所述第二电极接触孔制作第二金属电极；/n其中，所述阻挡层的材料为Ti或W或Ni或Pt。/n
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