[发明专利]与赝配电子和光电器件的平面接触在审
| 申请号： | 201810282466.3 | 申请日： | 2014-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN108511567A | 公开（公告）日： | 2018-09-07 |
| 发明（设计）人： | J·R·格兰达斯基;L·J·斯高沃特;M·贾米勒;M·C·门德里科;S·R·吉布 | 申请（专利权）人： | 晶体公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/04;H01L33/06;H01L33/12;H01L33/14;H01L33/22;H01L33/32;H01L33/38;H01L33/40;H01L33/42;H01L33/46;H01L33/60 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 王勇;李科 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在多个实施例中，发光器件包含光滑的接触层和极化掺杂(即，大体没有掺杂杂质的底层)，并且呈现了高光子提取效率。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂杂质 发光器件 光电器件 平面接触 提取效率 极化 接触层 光子 光滑 掺杂 | ||
【主权项】：
1.一种形成与紫外(UV)发光器件的接触的方法，所述方法包括：提供具有AlyGa1‑yN顶表面的衬底，其中y≥0.4；在所述衬底上形成有源的发光器件结构，所述发光器件结构包括多个层，每层包括AlxGa1‑xN；在所述发光器件结构上形成无掺杂分级Al1‑zGazN层，所述分级层的组成以Ga浓度z分级，使得所述Ga浓度z在离开所述发光器件结构的方向上增加；在所述分级层上形成p型掺杂Al1‑wGawN覆盖层，该p型掺杂Al1‑wGawN覆盖层的Ga浓度w≥0.8，其中，所述p型掺杂Al1‑wGawN覆盖层对于波长短于340nm的光单次通过的UV吸收小于80％；以及在所述Al1‑wGawN覆盖层上形成包括至少一种金属的金属接触件。
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