[发明专利]一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 201810282509.8 | 申请日： | 2018-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN108767078B | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 丁涛;韦春余;周飚;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/10;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法，属于半导体技术领域。外延片包括衬底和顺次层叠在衬底之上的缓冲层、未掺杂的GaN层、N型层、多量子阱层和P型层，衬底为蓝宝石衬底，缓冲层包括层叠在衬底上的第一AlN层及至少一个层叠在第一AlN层上的复合层；复合层包括金属层及层叠在金属层上的第二AlN层；未掺杂的GaN层层叠在第三AlN层上；第三AlN层为最靠近未掺杂的GaN层的复合层中的第二AlN层；金属层由Ag、Au、Al或Cu制成。制备方法包括：提供衬底；在衬底上沉积缓冲层；顺次在第三AlN层上沉积未掺杂的GaN层、N型层、多量子阱层和P型层。本发明能够提高外延层的晶体质量，并提高芯片的光提取效率，进而提高LED芯片的光电效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种GaN基发光二极管外延片，包括衬底和顺次层叠在所述衬底之上的缓冲层、未掺杂的GaN层、N型层、多量子阱层和P型层，所述衬底为蓝宝石衬底，其特征在于，所述缓冲层包括层叠在所述衬底上的第一AlN层、及至少一个层叠在所述第一AlN层上的复合层；所述复合层包括金属层及层叠在所述金属层上的第二AlN层；所述未掺杂的GaN层层叠在第三AlN层上；所述第三AlN层为，最靠近所述未掺杂的GaN层的复合层中的第二AlN层；所述金属层由Ag、Au、Al或Cu制成。
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