[发明专利]强极化分子及应用其制备的单分子场效应晶体管

摘要

本发明提供了下述通式的强极化分子：其中，A表示极化率大于2C·m2/V的基团；R1、R2分别表示氢、卤素、羟基、氨基、氰基、硝基、羧基、C1‑12烷基、C1‑12烷氧基、卤代C1‑12烷基、卤代C1‑12烷氧基、羟基C1‑12烷基、羟基C1‑12烷氧基或C1‑12烷基氨基；x1、x2分别表示0或不小于1的整数；y1、y2分别表示0或不小于1的整数。本发明还提供了一种强极化分子‑石墨烯分子异质结，及一种单分子场效应晶体管，其包括衬底、栅极、介电层及强极化分子‑石墨烯分子异质结；所述介电层位于所述栅极与强极化分子‑石墨烯分子异质结之间。本发明提供的单分子场效应晶体管能够实现高效的栅调控。

主权项

1.通式(I)所示的强极化分子：其中，A表示极化率大于2C·m²/V的基团；R₁、R₂分别表示氢、卤素、羟基、氨基、氰基、硝基、羧基、C_1‑12烷基、C_1‑12烷氧基、卤代C_1‑12烷基、卤代C_1‑12烷氧基、羟基C_1‑12烷基、羟基C_1‑12烷氧基或C_1‑12烷基氨基中的任一种；x₁、x₂分别表示0或正整数，优选地，0≤x₁≤3；0≤x₂≤3；y₁、y₂分别表示0或正整数，,优选地，0≤y₁≤2，0≤y₂≤2。