[发明专利]用于半导体制造工艺的度量方法

摘要

本公开涉及用于半导体制造工艺的度量方法。公开了一种用于监视在一工艺步骤中产生在基板上的1维和/或2维部件的图案中的临界尺寸的方法和装置，所述工艺步骤作为用于产生半导体器件的制造工艺的一部分或与所述制造工艺相关，所述工艺步骤根据预定义图案设计来执行，其中一个或多个度量目标(1)被添加到所述图案设计。所述目标包括非对称度量标记的一个或多个版本，所述标记的每一版本包括均匀部分(2)和周期性部分(3)，后者包括平行线形部件的规则阵列或2维部件的阵列。所述部件的设计宽度位于标称设计宽度w0周围的一定范围中。定义与所述范围内的设计宽度基本上成比例的位置相关参数S。确定S参数相对于预定义工艺操作点的偏移δS允许评估该工艺步骤所产生的部件的临界尺寸。

主权项

1.一种用于监视布置在图案中且通过一工艺步骤来产生在基板上的1维和/或2维部件的临界尺寸的方法，所述工艺步骤作为用于产生半导体器件的制造工艺的一部分或与所述制造工艺相关，所述工艺步骤根据预定义图案设计来执行，其中一个或多个度量目标被添加到所述图案设计，每一目标包括非对称设计的一个或多个标记(1)，每一标记包括在给定方向上(x，y)相邻地布置的宽度为K的均匀部分(2)和宽度为L的周期性部分(3)，所述周期性部分(3)包括布置在规则阵列中的1维或2维部件，其中所述周期性部分包括具有一设计节距(p；pa,pb)的1‑D部件或2‑D部件的阵列，并且其中所述2‑D部件的各设计尺寸之一或所述1‑D部件的设计尺寸等于标称值(w0)和/或位于所述标称值(w0)周围的某一范围中，所述方法包括与所述一个或多个目标中的每一者相关地执行的以下步骤：执行所述工艺步骤，从而获得分别与所述一个或多个非对称标记相对应的一个或多个非对称标记图案，定义代表所述标记图案的质心的位置的参数S，其中所述参数S根据所述1‑D或2‑D部件的所述设计尺寸w中的至少一者而基本上线性地变化，即dS/dw＝α，其中α是比例因子，根据所述标记图案确定具有设计尺寸为w0的部件的非对称标记的S参数相对于所述S参数的参考值的偏移δS，所述参考值在所述工艺步骤的先前定义的工艺操作点处是有效的，在δS的基础上评估由所述工艺步骤产生的所述一个或多个标记图案的1D和/或2D部件的临界尺寸。